МІЖНАРОДНА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ СТУДЕНТІВ І МОЛОДИХ НАУКОВЦІВ
З ТЕОРЕТИЧНОЇ ТА ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЇ ФІЗИКИ
ЕВРИКА-2017

16-18 травня 2017 р., Львів, Україна.

Вимоги до подаваного матеріалу:
  • Назва тез повинна бути центрована, великими буквами, шрифт - 16 pt, жирний. центрована. Далі прізвища авторів (шрифт 14 pt, жирний), за ними - назва установи та повна адреса. Використовуйте відступ (порожня стрічка) між назвою та прізвищами (16 pt), а також між назвою установи та текстом (12 pt). Прізвище автора, який представлятиме доповідь, має бути підкреслене.
  • Текст тез повинен займати одну сторінку формату А4. Шрифт Times New Roman 12 pt, віддалі між стрічками - одинарні, вирівнювання тексту - по ширині сторінки, без нумерації сторінок, усі поля - 2,5 см. Абзацний відступ становить 1,25 см.
  • Рівняння набирати з використанням редактора Microsoft Equation та розміщувати по центру стрічки. Використовуйте відступ (порожня стрічка) до рівняння і після. Рівняння нумеруйте послідовно. Номер рівняння має бути в круглих дужках біля правого поля сторінки. Знаки пунктуації проставляються після рівняння до номера рівняння.
  • Нумерація посилань на літературу має бути в квадратних дужках. Посилання на літературні джерела відокремлюють від тексту однією порожньою стрічкою.

Зразок оформлення тексту тез (Zrazok.doc):

НАЗВА ДОПОВІДІ (шрифт 16 pt, жирний, великі літери, центрований)
Відступ, 16 pt
Ім'я Прізвище (шрифт 14 pt, жирний)
Назва установи, адреса, е-mail (шрифт 14 pt, звичайний)
Відступ, 12 pt

Текст тез (шрифт 12 pt, звичайний)……  
  c2 = a2 + b2. (1)
 
Продовження тексту тез … …
Відступ, 12 pt

[1] М.О. Романюк, А.С. Крочук, І.П. Пашук, Оптика, Львів (2012), с.564.
[2] М.В. Ваврух, О.М. Стельмах, Журн. фіз. досл., 17, 4902 (2013).
[3] Y. Shopa, N. Ftomyn, Sol. St. Phenom, 200, 129 (2013).
[4] A.N.Stirling and D.Watson, in: Progress of Low Temperature Physics, ed. by D.F.Brewer, North Holland, Amsterdam (1986), V. 10, p.683.
[5] S. Mudry, I. Shtablavyi, O. Kovalskyi, in: Abstr. of XIV international conference on physics and technology of thin films and nanosystems, Ivano-Frankivsk (2013), p. 271.